超寬禁帶和寬禁帶及先進化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究

REPORT BACKGROUND

以Si、Ge元素為代表的第一代半導(dǎo)體材料及以GaAs, GaP, InP等化合物為代表的第二代半導(dǎo)體材料，隨著科學(xué)技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，已不能滿足現(xiàn)在電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO寬帶隙半導(dǎo)體為代表的的第三代化合物半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展起來。超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁(AlN)和氧化鎵(GaO)基材料, 亦稱第四代半導(dǎo)體, 對其研究和探索正于熱點和前沿。

2026年6月5日上午，美國肯尼索州立大學(xué)兼職教授, 中國臺灣大學(xué)榮退教授、廣西大學(xué)杰出教授馮哲川，受邀為武漢頤光科技有限公司的工程師們帶來《超寬禁帶和寬禁帶及先進化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究》的主題報告。介紹馮教授團隊多年來的應(yīng)用橢偏光譜于AlN和GaO基與傅里葉變換紅外(FTIR)反射光譜學(xué)于氮化鎵和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半導(dǎo)體化合物和結(jié)構(gòu)的研究和成果。

REPORT CONTENT

馮教授詳細而親切地介紹了團隊多年來應(yīng)用橢偏光譜對AlN和GaO薄膜材料的研究與成果。例：圖1和圖2分別展示了在不同晶面藍寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件，和藍寶石襯底上生長Ga2O3薄膜樣件的橢偏分析結(jié)果。

圖1 不同晶面藍寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件

圖2 藍寶石襯底上生長Ga2O3薄膜樣件

圖3 藍寶石襯底上生長GaN薄膜樣件

圖4 交流現(xiàn)場照片

GUEST INTRODUCTION

馮哲川教授系前廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院杰出教授(2015.3-2020.12)，中國臺灣大學(xué)光電所暨電機系(2003.8-2015.1)退休教授，獲得學(xué)士/碩士(1968/1981，北京大學(xué))、博士(1987,匹茲堡大學(xué)-美國)，1988-2003工作于Emory大學(xué)(美)，新加坡國立大學(xué)，EMCORE公司，材料工程研究院(新加坡)，喬治亞理工學(xué)院。2021年在美國亞特蘭大家中建立Science Exploring Lab(科學(xué)探索實驗室)，2022年起加入Kennesaw State University 電機與計算機工程系擔(dān)任兼職(adjunct)教授及進行教學(xué)和研究并指導(dǎo)研究生/大學(xué)生至今，今夏在華作2個月訪問至7月中。

馮教授已出版了半導(dǎo)體領(lǐng)域的14本專書，12 本編輯及2本寫作書“新興半導(dǎo)體和氧化物的拉曼散射"，“先進半導(dǎo)體與量子結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光光譜學(xué)"，2024 及今年已出版；已發(fā)表過約 900 篇學(xué)術(shù)論文(超過500多篇SCI)并被引用9400 多次。從事于化合物和寬能隙半導(dǎo)體研究40 多年，成果多且杰出。2013年榮膺 SPIE(國際光學(xué)與光子工程學(xué)會) Fellow(會士)至今。他受邀擔(dān)任過華中科技大學(xué)、南開大學(xué)、四川大學(xué)、南京工業(yè)大學(xué)、華南師范大學(xué)、天津師范大學(xué)的訪問客座教授。

馮哲川教授在廣西大學(xué)任職期間曾購買武漢頤光科技有限公司穆勒矩陣光譜橢偏儀，是頤光科技最早的客戶之一， 10多年一直與頤光科技保持緊密聯(lián)系，在橢偏測量表征及相關(guān)應(yīng)用開展了諸多合作，發(fā)表了多篇有影響力的論文及成果。馮教授的蒞臨交流，讓我們倍感榮幸，也深深欽佩到他做科研工作的嚴謹和投入。馮教授不僅是我們尊敬的用戶，更是我們始終敬重的良師益友。

圖5 廣西大學(xué)光電子材料與探測技術(shù)實驗室