無掩膜光刻機(jī)是無需物理掩模版，通過數(shù)字生成圖案直接在光刻膠上完成曝光的微納加工設(shè)備，核心優(yōu)勢是省去制版環(huán)節(jié)，大幅降低研發(fā)成本、縮短迭代周期，適配多場景靈活加工需求。
傳統(tǒng)光刻工藝需要制作實(shí)體掩模版，流程長、打樣成本高、圖形修改靈活性差，難以適配 MEMS、微流控、光子芯片、PCB 打樣、半導(dǎo)體研發(fā)小批量試制等場景。無掩膜光刻機(jī)依托數(shù)字直寫曝光技術(shù)，省去掩膜制版環(huán)節(jié)，直接將計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)圖形投射至涂膠基片完成光刻，是微納制造領(lǐng)域快速原型開發(fā)的核心設(shè)備。
工藝流程
前處理：基片完成清洗、旋涂光刻膠、前烘后，真空吸附固定于運(yùn)動平臺；
圖形導(dǎo)入：軟件導(dǎo)入設(shè)計(jì)版圖，設(shè)置曝光劑量、對焦高度、拼接步距；
光路預(yù)校準(zhǔn)：光源開啟預(yù)熱，CCD 自動識別樣品對位標(biāo)記，完成平面調(diào)平；
數(shù)字圖形調(diào)制：光束經(jīng)勻光后入射 DMD，微鏡陣列按版圖同步偏轉(zhuǎn)，生成動態(tài)光學(xué)圖形；
拼接曝光：運(yùn)動平臺按預(yù)設(shè)軌跡步進(jìn)移動，投影物鏡將圖形逐區(qū)域投射至光刻膠表面，完成整片基片曝光；
后流程：曝光完成后卸片，進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離等后續(xù)微加工。
技術(shù)核心優(yōu)勢
數(shù)字化直寫，無需掩膜，研發(fā)打樣周期縮短 70% 以上；
支持灰度曝光，可制備漸變深度三維微結(jié)構(gòu)；
圖形修改僅需軟件調(diào)整，多批次小批量定制加工成本低；
微米級分辨率，兼顧科研實(shí)驗(yàn)室與中小批量產(chǎn)線使用。
軟件與數(shù)據(jù)備份
曝光完成后保存曝光參數(shù)、對位補(bǔ)償文件，定期備份工程版圖，防止軟件丟失參數(shù)導(dǎo)致拼接誤差。
每周周期性養(yǎng)護(hù)(設(shè)備管理員執(zhí)行)
散熱系統(tǒng)清理
拆卸激光器、電控箱、FFU 風(fēng)機(jī)濾網(wǎng)，高壓氮?dú)獯祾叻e塵；水冷機(jī)型檢查冰水機(jī)水位、管路有無滲漏，每周監(jiān)測循環(huán)水電導(dǎo)率，維持≤0.1μS/cm，防止管路結(jié)垢影響光源散熱。
運(yùn)動平臺基礎(chǔ)檢查
空載運(yùn)行 X/Y/Z 全行程，觀察導(dǎo)軌運(yùn)行有無卡頓、異響；檢查光柵讀數(shù)頭表面無灰塵，線纜無擠壓磨損；清理平臺底部沉積粉塵。
光學(xué)窗口簡易清潔
專用擦鏡紙 + 微量異丙醇，單方向擦拭設(shè)備外部光學(xué)保護(hù)窗，禁止直接觸碰物鏡鏡片；擦拭后氮?dú)獯蹈桑苊馑疂n殘留形成光斑缺陷。
安全系統(tǒng)校驗(yàn)
測試急停開關(guān)、艙門安全聯(lián)鎖、紫外防護(hù)遮光裝置，故障及時更換配件。
2
立即詢價
您提交后，專屬客服將第一時間為您服務(wù)