半導體?邏輯制造（中芯國際：國產替代）

案例：中芯國際 28nm→14nm→7nm 全鏈設備主力供應商

• 合作時間：2010 年至今，深度綁定 15 年 +

• 設備占比：28nm 成熟制程刻蝕 / 沉積 / 爐管國產市占 30%+；14nm 進入主力基線；7nm 進入驗證 + 小批量

• 核心交付：

• 刻蝕機（NMC612D/Accura）：累計出貨3200 + 腔，14nm 良率對標國際大廠

• PVD/CVD：28nm 量產、14nm 通過驗證

• 熱處理立式爐：出貨1000 + 臺，國內市占**

• 業(yè)績貢獻：中芯為**大客戶（≈18–25% 營收）；2025 年單筆訂單120 億元

• 意義：國內**能給中芯提供 “除光刻機外全前道設備" 的廠商，打破泛林 / 應用材料壟斷

二、半導體?3D NAND 存儲（長江存儲：國產存儲 “脊梁"）

案例：長江存儲 3D NAND 128 層→232 層 核心設備供應商

• 合作時間：2017 年至今，聯(lián)合研發(fā)深度綁定

• 設備占比：三期項目國產設備占比 50%+，華創(chuàng)為*大國產供應商

• 核心交付：

• 高深寬比刻蝕機：128→232 層通孔刻蝕，深寬比 > 100:1，良率提升5%+

• 薄膜沉積（PECVD/ALD）：存儲層堆疊主力設備

• 真空干泵（ESA/EST）：替代 EBARA，全機臺批量應用

• 業(yè)績貢獻：長江存儲為**大客戶（≈15–18% 營收）

• 意義：全球僅 2–3 家可供應 200 + 層 3D NAND 刻蝕 / 沉積設備，打破東京電子 / 泛林壟斷

三、半導體?DRAM 存儲（長鑫存儲：國產 DRAM “**"）

案例：長鑫存儲 DDR4→DDR5→HBM 全流程設備總包

• 合作時間：2018 年至今，基線級戰(zhàn)略伙伴

• 設備占比：整體采購 **≈45%**；刻蝕機市占 50%+；12 英寸 TSV（先進封裝）市占 50%+

• 核心交付：

• 刻蝕 + PVD+CVD + 清洗 + 爐管：DDR5/LPDDR5X全量量產

• HBM3/3E 配套設備：聯(lián)合研發(fā)，2025 年批量交付

• 真空干泵 / 分子泵：刻蝕 / 沉積 / 離子注入標配

• 業(yè)績貢獻：長鑫 IPO 募資295 億，236 億用于設備，華創(chuàng)為*大受益方

• 意義：全球**非日韓系 DRAM 設備主力供應商，支撐中國 DRAM 自主可控

四、真空裝備?半導體干泵（國產替代 “卡脖子" 突破）

案例：半導體全制程干式真空泵（對標 EBARA/Edwards）

• 應用場景：刻蝕、CVD、PVD、離子注入、MOCVD全工藝

• 核心產品：

• EST 級干式螺桿泵：耐粉塵 / 腐蝕，替代 EBARA EST，中芯 / 長江 / 長鑫批量裝機

• ESA 多級羅茨干泵：MOCVD 氫氣工況，LED / 功率半導體市占**

• 分子泵：高真空刻蝕 / 濺射，國產市占 40%+

• 交付規(guī)模：累計出貨 **>5000 臺 **，國產干泵市占 60%+

• 意義：國內**可在半導體苛刻工藝全環(huán)節(jié)批量替代進口干泵的企業(yè)

五、新能源?鋰電真空（寧德時代 / 比亞迪：整線真空解決方案）

案例：鋰電真空干燥 + 復合集流體鍍膜設備

• 客戶：寧德時代、比亞迪、中**航、億緯鋰能

• 核心交付：

• 真空干燥爐：18650/21700 / 大圓柱全系列，水分 < 50ppm，市占 30%+

• 復合集流體 PVD 鍍膜設備（eMeridian RR-M）：替代進口，良率 98%+，2024 年量產交付

• 意義：鋰電真空設備國產龍頭，支撐中國鋰電全球競爭力

六、光伏 / 新材料?真空鍍膜（隆基 / 稀土：國產**裝備）

案例 1：隆基綠能 光伏 PVD 鍍膜設備

• 產品：ARC/Al 背場 PVD，PERC→TOPCon→HJT全路線

• 規(guī)模：累計出貨 **>800 臺 **，國產市占 25%+

案例 2：稀土永磁 “黑燈工廠"（北方華創(chuàng)真空）

• 設備：真空燒結爐 + 連續(xù)式 PVD + 晶界擴滲爐

• 指標：氧含量10–30ppm，磁體矯頑力提升10%+

• 榮譽：國內**、國際**，獲稀土行業(yè)科技進步獎

七、一句話總結（可直接用于匯報）