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進(jìn)口A(yíng)LD設(shè)備
進(jìn)口A(yíng)LD設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在...

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ALD進(jìn)口A(yíng)LD全自動(dòng)原子層沉積進(jìn)口全自動(dòng)ALD
等離子體增強(qiáng)MOCVD
等離子體增強(qiáng)MOCVD：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的...

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等離子體增強(qiáng)MOCVDPA-MOCVDPAMOCVD等離子體增強(qiáng)MOCVD
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)MOVPE設(shè)備
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)MOVPE設(shè)備：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）...

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MOCVD設(shè)備金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉等離子體輔助MOCVDMOVPE設(shè)備PA-MOCVD報(bào)價(jià)
NMC-4000（M）PA-MOCVD設(shè)備
NMC-4000（M）PA-MOCVD設(shè)備：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)...

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MOCVD設(shè)備金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉等離子體輔助MOCVDMOVPE設(shè)備PA-MOCVD報(bào)價(jià)
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)
NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

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進(jìn)口全自動(dòng)PAMOCVD進(jìn)口全自動(dòng)PEMOCVD全自動(dòng)等離子MOCVD
NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備
NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

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進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
NMC-3000等離子輔助MOCVD
NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓...

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進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)
NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足準(zhǔn)確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

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ALD等離子ALDPlasma增強(qiáng)ALD進(jìn)口原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)口PEALD系統(tǒng)
NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)
NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于...

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ALDPEALD進(jìn)口全自動(dòng)PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積原子層沉積
NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備
NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

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ALD進(jìn)口A(yíng)LD進(jìn)口全自動(dòng)ALD進(jìn)口全自動(dòng)原子層沉積進(jìn)口沉積設(shè)備
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)
NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

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ALD進(jìn)口A(yíng)LDALD報(bào)價(jià)原子層沉積系統(tǒng)報(bào)價(jià)進(jìn)口A(yíng)LD系統(tǒng)
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

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ALD全自動(dòng)ALD報(bào)價(jià)進(jìn)口全自動(dòng)ALDALD報(bào)價(jià)進(jìn)口A(yíng)LD報(bào)價(jià)
NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)
NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

型號(hào)：所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/9/17 11:40:18 對(duì)比

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原子層沉積系統(tǒng)
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

型號(hào)： NLD-3000 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/9/17 11:38:40 對(duì)比

進(jìn)口A(yíng)LDALD價(jià)格ALD原子層沉積報(bào)價(jià)進(jìn)口A(yíng)LD報(bào)價(jià)
MOVPE設(shè)備
NMC-4000 MOVPE設(shè)備：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（...

型號(hào)： NMC-4000 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2025/9/17 10:15:47 對(duì)比

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