RIE反應離子刻蝕 返回列表頁

RIE反應離子刻蝕采用模塊化設計，可滿足III/V半導體和Si加工工藝領域的的靈活應用。 SENTECH SI 591可應用于各種領域的蝕刻工藝中，能夠完成多種刻蝕加工。

RIE反應離子刻蝕主要特點:

高均勻性和優重復性的蝕刻工藝

預真空鎖loadlock

電腦控制操作

SENTECH高級等離子設備操作軟件

數據資料記錄

穿墻式安裝方式

刻蝕終點探測

工藝靈活性

RIE蝕刻機SI 591 特別適用于氯基和氟基等離子蝕刻工藝，占地面積小且模塊化程度高，SI 591 可配置為單個反應腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設備。SENTECH控制軟件，我們的等離子蝕刻設備包括用功能*的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。

預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。位于頂部電極和反應腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統。橢偏儀端口可用于SENTECH橢偏儀進行原位監測。

SI 591結合了計算機控制的RIE平行板電極設計的優點和預真空室系統。SI 591可配置用于各種材料的刻蝕。在SENTECH，我們提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或多六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 591也可用作多腔系統中的一個工藝模塊。

SI 591 compact

• 占地面積小的RIE等離子刻蝕

• 預真空室

• 鹵素和氟基氣體

• 適用于200mm的晶片

• 用于激光干涉儀和OES的診斷窗口

SI 591 cluster

• 可配置為至多6端口傳輸

• 結合RIE, ICP-RIE和PECVD腔體

• 手動預真空室置片或片盒裝載

• 用于研發和高產量的多腔系統

• SENTECH控制軟件