AT810 經濟性原子層沉積設備 返回列表頁

AT810 經濟性原子層沉積設備臺式系統占地面積小

采用半導體級金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積（ALD）閥。
用于集成惰性氣體吹掃的超快速質量流量控制器（MFC）。
6 英寸圓形卡盤（最大適配 7 英寸方形），可針對更小尺寸或其他形狀（高 11 毫米）定制。
3 種有機金屬前驅體和 2 種（最多 3 種 ）反反應物。
全程加熱管路（從前驅體到反應腔室 ）。
全半導體級鋁制腔室，溫度范圍最高可達 300℃
7 英寸觸摸屏可編程邏輯控制器（PLC），無需個人電腦（PC）。

特征

• · 占地面積小的桌面系統，兼容潔凈室。

• · 全鋁（半導體級）腔室 - 溫度高達 300°C

• · 高溫半導體級快速脈沖 ALD 閥，帶有超快 MFC，用于集成惰性氣體吹掃。

• · 8 英寸圓卡盤可定制為較小尺寸或其他形狀。

• · 流線型腔室設計和小腔室容積

• · 3 種有機金屬前體和 2 種（最多 3 種）反反應物。

• 前體可以加熱到 150°C。

• · 整個加熱管線（從前體到腔室）。

• · 系統維護簡單，市場上公用事業和前體使用量

• · 高曝光（用于溝槽和多孔基材）和靜態處理模式

• · 7 英寸觸摸屏 PLC 控制器（無需 PC）

規格

• · 室溫從室溫到 300°C ± 1°C

• · 前驅體溫度從室溫到 150°C ± 2°C（帶加熱夾套）

• · 市場上占地面積最小，臺式安裝和潔凈室兼容

• · 系統維護簡單，市場上公用事業和前體使用量

• · 流線型腔室設計和小腔室容積

• · 快速循環能力和高曝光，可進行深度滲透處理

• · 從前體到腔室的所有金屬都是密封的。

• · 典型工作壓力

• · 全硬件和軟件聯鎖，可在多用戶環境中安全運行

• · 110 – 220 VAC，單相，50/60Hz，15 安培（220V 為 10A）

• · 重量約 100 磅（45 公斤）

選件

• · 定制卡盤/壓板（方形、小件壓痕、粉末）

• · 定制腔室（更厚的基板）

• · ATOzone – 臭氧發生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質量 Al2O3、高質量 HfO2）

• 可選 – 臭氧安全監測器，可實時檢測環境臭氧氣體

• · QCM（石英晶體微量天平）

• · 手套箱集成（通常要求不將基材暴露在潮濕環境中;硫化物等。

• · 外部控制 – PC/軟件鏈接（允許遠程編程和運行）

• · 通風前驅體柜

• · 備用室

• · IGPA（惰性氣體壓力輔助）用于低蒸氣壓前驅體

• · 前驅體溫度更高（至 180°C）

• · 第三反反應物

• 第三對反應物的軟件控制

安裝

• 有關詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT810 安裝和啟動 "

• N2 吹掃氣體應為 >99.9995%，帶截止閥（調節至 10 – 30 psi，金屬密封）。

• 輸入線是 1/4 母頭 VCR 壓縮接頭

• 通過 1/4 英寸金屬線將 99.9995% 氮氣 （UHP） 吹掃氣體>背面的 1/4 英寸壓縮接頭連接起來

• 通過 90/110 英寸聚乙烯管或金屬線將 1-4 psi CDA（清潔干燥空氣）連接到另一個標有 CDA（清潔干燥空氣）的 1/4 英寸壓縮接頭

• 最小 19.5cfm 濕泵（**需要 PTFE 真空流體（如 Fomblin））

• NW25 （KF25） （1“） 連接和排氣管（帶 5cfm >拉）

• 大于 1 米應使用 NW40 （1.5“） 排氣管

• 前驅體通過內螺紋 VCR 彎頭連接（始終使用新墊圈）

• 彎頭：1/4“ 墊圈先（戴手套）

• 有關前體連接，請參閱“AT810 工具和軟件"。

軟件

• AT810 經濟性原子層沉積設備有關詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT810 安裝和啟動 "

• 輸入子周期和總周期

• 人機界面 （HMI） PLC 系統，帶 7 英寸觸摸屏面板

• 適用于標準 ALD 循環沉積的高級控制，如納米層壓板、摻雜薄膜和三元薄膜

• 用于高質量、經過測試的工藝的配方數據庫

• 自定義配方輸入屏幕

• 實時顯示工藝狀態

• 可單獨編程的加熱源溫度

• 用于三元化合物和納米層壓板的內置脈沖序列

• 快速運行，簡單的問題讓用戶開始