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HORIBA STEC（堀場流體事業部）是全球半導體 MFC 龍頭廠商，半導體制程市占率超 60%，核心優勢為壓電閥熱式質量流量控制，覆蓋高純氣體、腐蝕性氣體、液體微小流量全場景，蘇州半導體 / 光伏 / 面板產線廣泛配套。
核心結構：鏡面拋光全金屬流路、壓電陶瓷控制閥（無發熱、響應極速）
精度：10~100% FS ±0.5% 設定點；低量程 0.5~10% FS ±0.05% 滿量程
響應速度：全量程 T98＜1s，可變 PID 自適應大小流量
流量區間：0.1 SCCM ~ 50 SLM（N?當量）
通訊：EtherCAT、DeviceNet、RS485 (F-NET)、SECS-II、模擬 0-5V/4-20mA
特色：多氣體 / 多量程一鍵切換、內置自診斷、壽命預警、金屬密封兼容 Cl?、WF?等腐蝕氣體
接口：標準 1/4" VCR 金屬密封，適配潔凈室超高純管路
流量范圍：10 SCCM ~ 1000 SLM，大小量程全覆蓋
精度：±1.0% 設定點，響應≤1s
通訊齊全：EtherCAT、Profibus、CC-Link、DeviceNet、模擬信號
優勢：性價比高，國產產線標配，維護成本低于 Z500 系列
原理：電容差壓傳感，無加熱絲，杜絕熱敏絲污染、分解前驅體
耐受壓力：最高 450kPaA，高壓工藝適配
精度：±1% 設定點，極低溫度漂移
適配：MOCVD、金屬有機源、高溫前驅體輸送
LF 系列：高壓型，最大耐壓 10MPa，微小液體 0.01~100g/min，適配半導體光刻化學品、冷卻液
LV 系列：低壓通用型，耐壓 1MPa，低沸點 / 高粘度藥液精密控流，流路超潔凈無析出
集成電路晶圓（主力市場）
刻蝕、薄膜沉積 PVD/CVD/ALD、離子注入、擴散、清洗高純氣體控制；
光伏 / 面板
電池片擴散、PECVD、LCD/OLED 鍍膜；
科研實驗室
MOCVD、管式爐、氣相合成、催化實驗；
醫療 / 分析儀器
氣相色譜、細胞培養、氣體混合配比；
氫能 / 汽車測試
HyFQ 系列氫燃料流量計，發動機排放測試臺配套。
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